全彩化技术：MicroLED的全彩化技术主要有3种：三色RGB法、UV/蓝光LED+发光法、透镜合成法。RGB三色LED法（也称All-in-oneRGBMicroLED）RGB-LED全彩显示显示原理主要是基于三原色（红、绿、蓝）调色基本原理。众所周知，RGB三原色经过一定的配比可以合成自然界中绝大部分色彩。同理，对红色LED、绿色LED、蓝色LED，施以不同电流即可控制其亮度，从而实现三原色的组合，达到全彩色显示的效果，从原理上说是实现彩色显示质量较好的方案。目前在MicroLED大屏显示中应用较多。但是，三色RGB用于大像素显示构造时，巨量转移的芯片数量多、难度大，且红光LED效率不高。 在驱动方面，Micro LED显示屏采用单独驱动方式，每个像素都可以单独控制，使得画面更加灵活和精确。电影院Microled显示屏价格
主动选址驱动模式下，每个Micro LED像素有其对应的单独驱动电路，驱动电流由驱动晶体管提供。基本的主动矩阵驱动电路为双晶体管单电容电路。每个像素电路中，选通晶体管用来控制像素电路开关，驱动晶体管与电源连通为像素提供稳定电流，存储电容用来储存数据信号。为了提高灰阶等显示能力，可以采用四晶体管双电容电路等复杂的主动矩阵驱动电路。被动选址驱动是把像素电极做成矩阵型结构，每一列(行)像素的阳(阴)极共用一个列(行)扫描线，两层电极之间通过沉积层进行电学隔离，以同时选通第X行和第Y列扫描线的方式来点亮位于第X行和第Y列的LED像素，高速逐点(或逐行)扫描各个像素来实现整个屏幕画面显示的模式。电影院Microled显示屏价格MicroLED显示屏的亮度可以根据环境光线自动调节，非常智能。
人眼睛极其敏感，2nm波长差异，人的眼睛可以非常清晰的捕捉到，因此对于整个MicroLED生产过程中，对外延的均匀性提出了更高的要求。普遍业界认为，外延的均匀性要做到2nm以内无分选，并且满足后续巨量转移的要求。此外，对衬底的翘曲率、颗粒、缺陷也要严格的卡控，这是为后续的芯片工艺所考虑。目前的主流GaN外延技术有两种，一种是基于蓝宝石衬底，还有一种是基于硅衬底，这也与上文提到的两种衬底路线相对应。基于蓝宝石衬底外延GaN的技术已经比较成熟，适用性也广，但由于硅衬底外延片可以将封装、巨量转移等新技术更好的串联，业内也把该技术认作未来MicroLED发展技术。但是目前，基于硅衬底的GaN外延仍然不是业内的主流，目前主要原因有以下几点：GaN与Si的晶格常数有17%的差异，造成高错位密度（蓝宝石为5*108，Si为107），这种差异容易导致GaN表面产生缺陷；GaN和Si有超过56%热膨胀系数的差异，导致应力无法释放，造成翘曲、龟裂；GaN中的Ga原子本身与Si会发生刻蚀反应。如果把GaN直接长到Si上面，就会被刻蚀反应掉；Si吸收可见光会降低LED的外量子效率。
使用物理或化学机制剥离LED基板，以一暂时基板承载LED外延薄膜层，再利用感应耦合等离子离子蚀刻，形成微米等级的Micro LED外延薄膜结构；或者，先利用感应耦合等离子离子蚀刻，形成微米等级的Micro LED外延薄膜结构，再使用物理或化学机制剥离LED基板，以一暂时基板承载LED外延薄膜结构。根据驱动电路基板上所需的显示画素点间距，利用具有选择性的转移治具，将Micro LED外延薄膜结构进行批量转移，链接于驱动电路基板上形成显示画素。此方法成本低，对显示基板尺寸无限制，具有批量转移能力。MicroLED显示屏可以实现更低的功耗和更长的续航时间。
先制造出每颗MicroLED 晶体，其体积小的可以小于30纳米——而目前小的mini LED为0.2毫米，一次制造一个，然后用工业机器人包装和组装成一个显示屏，机器人每次都会把它们一个个挑出来，先放到较小的液晶基板上，然后再把基板组装到显示屏上。这种精密组装技术被称为“巨量转移技术”。由于 Micro LED 直接安装到液晶面板上，因此不需背光模块和光学膜片，采用无机材料构成发光层，所以就不容易出现 OLED 烧屏，穿透率更优于 LCD 和 OLED 高达 90%，也能够让显示器更省电。MicroLED显示屏的亮度均匀性非常好，可以呈现出非常平滑的图像。电影院Microled显示屏价格
Micro-LED的优点特性是什么?电影院Microled显示屏价格
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