上海国产芯片ACM8635ETR

炬力蓝牙芯片在眼镜上的应用，展现出了多方面的综合优势，***提升了用户的使用体验。从佩戴感受上来说，其小巧紧凑的设计，很大程度减少了对眼镜整体结构的改变，让智能眼镜在外观上更接近传统眼镜，佩戴起来轻盈舒适，不会给用户带来额外的负担，无论是长时间佩戴进行户外运动，还是日常通勤使用，都毫无压力。在功能实现方面，凭借稳定高效的无线连接，确保了智能眼镜与手机等设备之间的数据传输流畅无阻，无论是接收消息提醒、进行语音通话，还是控制智能眼镜的各项功能，都能迅速响应，让用户无需等待，操作更加便捷高效。而且，其低功耗特性延长了眼镜的续航时间，减少了频繁充电的麻烦，让用户可以更加自由地使用智能眼镜，无需时刻担心电量不足的问题。这些综合优势使得炬力蓝牙芯片成为智能眼镜领域的理想选择，为用户带来了前所未有的便捷与舒适体验。ACM8815在汽车音响应用中，该芯片可驱动4Ω低音炮输出200W功率，实现影院级声场效果。上海国产芯片ACM8635ETR

炬芯科技以音频为切入点，逐步将存内计算能力扩展至智能穿戴、智能家居、工业边缘等全场景，形成差异化竞争力。工业边缘与智能家居工业边缘网关：支持预测性维护（振动+温度+视觉联合分析），片上KV Cache支持比较大4K上下文，减少DDR访问。全屋智能中控：实时处理语音+视觉+传感器融合数据，动态电压频率缩放（DVFS）技术使空闲时功耗<10mW，***时瞬间升频。深圳市芯悦澄服科技有限公司代理炬芯全系列芯片，专业一站式音频开发服务。上海国产芯片ACM8635ETRACM8815可对特定频段信号进行动态增强，例如强化低音下潜或提升人声清晰度。 2

ATS2853P2芯片支持蓝牙BR/EDR与LE双模式共存，符合V5.3规范并向下兼容V5.0/4.2/2.1。在经典蓝牙模式下，支持A2DP 1.3、AVRCP 1.6、HFP 1.8协议，可实现手机音乐播放控制、通话降噪及元数据传输；低功耗模式下支持LE Audio及LC3编码，单声道音频延迟可压缩至15ms以内。设计时需在天线匹配电路中预留π型滤波器位置，以抑制2.4GHz频段Wi-Fi信号干扰，实测在-85dBm灵敏度下仍能稳定传输。深圳市芯悦澄服科技有限公司专业一站式音频方案，给您一场不一样的音频体验。

炬芯科技正推进第二代存内计算技术IP研发，目标在算力密度、能效比和场景适应性上实现突破：2026年第三代技术：12nm制程，单核1TOPS算力，能效比15.6TOPS/W，支持多核并联（如8核=2.4 TOPS），有望颠覆汽车、工业边缘等高算力场景。市场预测：端侧AI设备2028年预计达40亿台（年复合增长率32%），75%设备需高能效**硬件，炬芯科技凭借技术代际**优势，有望持续**市场。结语：炬芯科技的存内计算架构通过硬件级存算融合、三核异构协同和场景化深度优化，在能效、实时性、开发生态等方面建立了代际**优势。其技术不仅支撑了智能穿戴、专业音频等领域的**应用，更通过规模化量产与生态构建，为AIoT设备提供了高性价比的端侧算力平台。随着第二代技术的落地，炬芯科技有望进一步**端侧AI芯片的技术变革，重塑全球半导体竞争格局。ACM8815作为国内一款氮化镓D类功放芯片，集成数字信号处理与I2S数字输入功能。

在智能穿戴设备蓬勃发展的时代，炬力蓝牙芯片凭借深厚的技术积累与创新实力，在眼镜领域崭露头角。随着人工智能与物联网技术的深度融合，智能眼镜作为新兴的智能终端，对蓝牙芯片的性能提出了更高要求。炬力敏锐捕捉到这一市场趋势，专注于研发适用于眼镜的蓝牙芯片。其芯片不仅具备低功耗特性，还能提供稳定高效的无线连接，为智能眼镜的音频传输、数据交互等功能提供了坚实支撑。从早期的基础蓝牙功能到如今集成多种先进技术的复杂芯片，炬力蓝牙芯片在眼镜领域的发展历程，见证了智能穿戴行业的技术变革与市场需求的不断升级。12S数字功放芯片支持Dolby Atmos虚拟化，通过HRTF头部相关传输函数模拟7.1.4声道空间音频。上海国产芯片ACM8635ETR

蓝牙音响芯片凭借先进架构，实现高效音频处理，带来清晰动人的音乐体验。上海国产芯片ACM8635ETR

炬芯科技自主研发的模数混合SRAM存内计算（MMSCIM）架构，通过硬件级重构与全链路优化，彻底颠覆冯·诺依曼架构的“存储-计算分离”模式。其**原理是将计算单元直接嵌入存储单元，数据无需在存储器与计算单元间搬运，从而消除“存储墙”与“功耗墙”问题。具体技术优势包括：能效比*****代技术（2024年落地）：单核算力100GOPS，能效比达6.4TOPS/W（INT8），较传统DSP架构提升60倍，功耗降低90%以上。第二代技术（2025年推出）：单核算力提升至300GOPS，能效比优化至7.8TOPS/W，原生支持Transformer模型，推理延迟降低5-10倍。第三代技术（2026年规划）：采用12nm制程，单核算力突破1TOPS，能效比达15.6TOPS/W，超越冯·诺依曼架构理论极限（10TOPS/W）。
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