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黑龙江氧化铪危险说明

来源: 发布时间:2023年06月08日

产品特点:白色粉末,有单斜、四方和立方三种晶体结构。密度分别为10.3,10.1和9.68g/cm3。熔点2780~2920K。沸点5400K。氧化铪 性质熔点 2810 °C密度 9.68 g/mL at 25 °C(lit.)折射率 2.13 (1700 nm)热膨胀系数5.8×10-6/℃。不溶于水、盐酸和硝酸,可溶于浓硫酸和氟氢酸。由硫酸铪、氯氧化铪等化合物热分解或水解制取。为生产金属铪和铪合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化剂。产品应用:二氧化铪(HfO?)是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料,近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注,由于它可能替代目前硅基集成电路的**器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO?),以解决目前MOSFET中传统SiO?/Si结构的发展的尺寸极限问题。氧化铪的中文别称有哪些?黑龙江氧化铪危险说明

性质氧化铪为白色立方晶体,比重9.68。熔点2,758±25℃。沸点约5,400℃。单斜晶系的二氧化铪在1,475~1,600℃足量氧气氛中转化为四方晶系。不溶于水和一般无机酸,但在氢氟酸中缓慢溶解。Chemicalbook化学反应与热的浓硫酸或酸式硫酸盐作用形成硫酸铪[Hf(SO4)2],与碳混合后加热通氯生成四氯化铪(HfCl4),与氟硅酸钾作用生成氟铪酸钾(K2HfF6),与碳在1,500℃以上作用形成碳化铪HfC。制备氧化铪可由铪的碳化物、四氯化物、硫化物、硼化物、氮化物或水合氧化物直接高温灼烧制取。黑龙江氧化铪危险说明氧化铪的产品特性与用途?

基本信息IUPAC名称:dioxohafnium元素含量比重:O(oxygen)15.2%、Hf(hafnium)84.8%密度:9.68g/cm3熔点:2758℃摩尔质量:210.49g/molCAS号:12055-23-1蒸发压力:在2678℃时1Pa;在2875℃时10Pa线膨胀系数:5.6×10-6/K溶解度:不溶解于水纯度:99.99薄膜特性:透光范围~220~12000nm;折射率(250nm)~2.15(500nm)~2蒸发条件:用电子***,氧分压~1~2×10-2Pa。蒸发温度~2600~2800℃,基片温度~250℃,蒸发速率2nm/s应用领域:UV增透膜,干涉膜

计算化学数据1、氢键供体数量:12、氢键受体数量:23、可旋转化学键数量:04、拓扑分子极性表面积(TPSA):34.15、重原子数量:36、表面电荷:07、复杂度:18.38、同位素原子数量:09、确定原子立构中心数量:010、不确定原子立构中心数量:011、确定化学键立构中心数量:012、不确定化学键立构中心数量:013、共价键单元数量:1。生态学数据通常对水是不危害的,若无**许可,勿将材料排入周围环境。性质与稳定性常温常压下稳定避免的物料酸。氧化铪的操作注意事项?

产品特点:白色粉末,有单斜、四方和立方三种晶体结构。密度分别为10.3,10.1和9.68g/cm3。熔点2780~2920K。沸点5400K。热膨胀系数5.8×10-6/℃。不溶于水、盐酸和硝酸,可溶于浓硫酸和氟氢酸。由硫酸铪、氯氧化铪等化合物热分解或水解制取。为生产金属铪和铪合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化剂。产品应用:二氧化铪(HfO?)是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料,近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注,由于它可能替代目前硅基集成电路的**器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO?),以解决目前MOSFET中传统SiO?/Si结构的发展的尺寸极限问题。氧化铪的熔点是多少?黑龙江氧化铪危险说明

氧化铪的生产工厂有哪些?黑龙江氧化铪危险说明

化学性质氧化铪的化学性质与氧化锆相似,其活性与煅烧温度有关,煅烧温度越高,化学活性性越低。无定型氧化铪容易溶解于酸中,但是结晶型氧化铪即使是在热盐酸或者是硝酸中也不发生反应,而*溶于热浓的氢氟酸和硫酸中。结晶型氧化铪与碱和盐酸溶后,则容易稀酸中。在1100℃下,氧化铪与铪酸锂。在高Chemicalbook于1500℃氧化铪与碱土金属氧化铪与二氧化硅等作用,生成铪酸盐和硅酸铪。在1800℃以上与氧化硅组成一系列的固溶体。铪盐水解可以得到两性的氢氧化铪,氢氧化铪在100℃下干燥能够达到HfO(OH)2,再升高温度即转换为氧化铪。在碳化过程中可有Hf2O3与HfO形成,但是对此研究较少。性质氧化铪为白色立方晶体,比重9.68。熔点2,758±25℃。沸点约5,400℃。单斜晶系的二氧化Chemicalbook铪在1,475~1,600℃足量氧气氛中转化为四方晶系。不溶于水和一般无机酸,但在氢氟酸中缓慢溶解。黑龙江氧化铪危险说明

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