产品特点：白色粉末，有单斜、四方和立方三种晶体结构。密度分别为10.3，10.1和9.68g/cm3。熔点2780~2920K。沸点5400K。热膨胀系数5.8×10-6/℃。不溶于水、盐酸和硝酸，可溶于浓硫酸和氟氢酸。由硫酸铪、氯氧化铪等化合物热分解或水解制取。为生产金属铪和铪合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化剂。产品应用：二氧化铪(HfO?)是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注，由于它可能替代目前硅基集成电路的**器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO?)，以解决目前MOSFET中传统SiO?/Si结构的发展的尺寸极限问题。氧化铪是什么颜色的？北京氧化铪近期价格
常用名氧化铪英文名hafniumoxideCAS号12055-23-1分子量210.48900密度9.68沸点N/A分子式HfO2熔点2812ºCMSDS闪点N/A。
氧化铪用途用于光谱分析及催化剂体系，耐熔材料。储存条件常温密闭，阴凉通风干燥稳定性常温常压下稳定避免的物料酸计算化学1、氢键供体数量：12、氢键受体数量：23、可旋转化学键数量：04、拓扑分子极性表面积（TPSA）：34.15、重原子数量：36、表面电荷：07、复杂度：18.38、同位素原子数量：09、确定原子立构中心数量：010、不确定原子立构中心数量：011、确定化学键立构中心数量：012、不确定化学键立构中心数量：013、共价键单元数量：1 北京氧化铪近期价格氧化铪的物理化学性质？
性质白色粉末，有单斜、四方和立方三种晶体结构。密度分别为10.3，10.1和10.43g/cm3。熔点2780～2920K。沸点5400K。热膨胀系数5.8×10-6/℃。不溶于水、盐酸和硝酸，可溶于浓硫酸和氟氢酸。由硫酸铪、氯氧化铪等化合物热分解或水解制取。为生产金属铪和铪合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化剂。应用二氧化铪(HfO₂)是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注，由于它**可能替代硅基集成电路的**器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO₂)，以解决MOSFET中传统SiO₂/Si结构的发展的尺寸极限问题。
CAS号:12055-23-1分子式:HfO2分子量:210.49EINECS号:235-013-2相关类别:稀有金属;通用试剂;催化和无机化学;粉体;铪;氧化物;无机物;化工原料;Inorganics;Hafnium;MChemicalbooketalandCeramicScience;Oxides;metaloxide;construction;material;常规氧化物粉体-氧化铪;氧化物-氧化铪;无机粉体;金属粉末Mol文件:氧化铪性质熔点2810°C密度9.68g/mLat25°C(lit.)折射率2.13(1700nm)形态powder颜色Off-white比重9.68水溶解性Insolubleinwater.Merck14,4588InChemicalbookChIKeyCJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-NCAS数据库12055-23-1(CASDataBaseReference)EPA化学物质信息Hafniumoxide(HfO2)(12055-23-1)氧化铪是什么形状的？
基本信息IUPAC名称：dioxohafnium元素含量比重：O(oxygen)15.2%、Hf(hafnium)84.8%密度：9.68g/cm3熔点：2758℃摩尔质量：210.49g/molCAS号：12055-23-1蒸发压力：在2678℃时1Pa；在2875℃时10Pa线膨胀系数：5.6×10-6/K溶解度：不溶解于水纯度:99.99薄膜特性：透光范围～220～12000nm；折射率（250nm）～2.15（500nm）～2蒸发条件：用电子***，氧分压～1～2×10-2Pa。蒸发温度～2600～2800℃，基片温度～250℃，蒸发速率2nm/s应用领域:UV增透膜，干涉膜氧化铪的沸点是多少？北京氧化铪近期价格
氧化铪的拓扑分子极性表面积？北京氧化铪近期价格
二氧化铪(HfO2)是铪元素的一种氧化物，常温常压下为白色固体。基本信息中文名二氧化铪英文名Hafnium(IV)oxide别称氧化铪(IV)化学式HfO2分子量210.49CAS登录号12055-23-1熔点2758℃沸点5400℃水溶性难溶于水密度9.68g/cm3外观白色固体应用远红外波段材料，应用二氧化铪(HfO₂)是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注，由于它**可能替代目前硅基集成电路的**器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO₂)，以解决目前MOSFET中传统SiO₂/Si结构的发展的尺寸极限问题。北京氧化铪近期价格
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