河北反并联可控硅模块组件

可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。

 由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。

  由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化 淄博正高电气有限公司是您可信赖的合作伙伴！河北反并联可控硅模块组件

满足可控硅模块工作的必要条件：

（1）+12V直流电源：可控硅模块内部控制电路的工作电源。

①可控硅模块输出电压要求：+12V电源：12±0.5V ，纹波电压小于20mv 。

②可控硅模块输出电流要求：标称电流小于500安培产品：I+12V＞0.5A，标称电流大于500安培产品：I+12V＞ 1A。

（2）可控硅模块控制信号：0～10V或4～20mA控制信号，用于对输出电压大小进行调整的控制信号，正极接CON10V或CON20mA，负极接GND1。

（3）可控硅模块供电电源和负载：供电电源一般为电网电源，电压460V以下的或者供电变压器，接可控硅模块的输入端子；负载为用电器，接可控硅模块的输出端子。 河北反并联可控硅模块组件淄博正高电气有限公司以创百年企业、树百年品牌为使命，倾力为客户创造更大利益！

双向可控硅晶闸管使用中，应特别注意以下事项：

1.灵敏度

双向可控硅是一个三端元件，但我们不再称其两极为阴阳极，而是称作T1和T2极，G为控制极，其控制极上所加电压无论为正向触发脉冲或负向触发脉冲均可使控制极导通，但是触发灵敏度互不相同，即保证双向可控硅能进入导通状态的较小门极电流IGT是有区别的。

2.可控硅过载的保护

可控硅元件优点很多，但是它过载能力差，短时间的过流，过压都会造成元件损坏，因此为保证元件正常工作，需有条件：

（1）外加电压下允许超过正向转折电压，否则控制极将不起作用；

（2）可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按较大电流的1.5~2倍来取；

（3）为保证控制极可靠触发，加到控制极的触发电流一般取大于其额值，除此以外，还必须采取保护措施，一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器，其额定电流取可控硅电流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流侧或直流侧，当在交流侧时额定电流取大些，一般多采用前者，过电压保护常发生在存在电感的电路上，或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于，过电压的尖峰高，作用时间短，常采用电阻和电容吸收电路加以。

导通角与模块输出电流的关系：山东可控硅模块的导通角与模块能输出的器强大电流有直接关系，模块的标称电流是强大导通角时能输出的强大电流。在小导通角（输出电压与输入电压比值很小）下输出的电流峰值很大，但电流的有效值很小（直流仪表一般显示平均值，交流仪表显示非正弦电流时比实际值小），但是输出电流的有效值很大，半导体器件的发热与有效值的平方成正比，会使模块严重发热甚至烧毁。因此，山东可控硅模块应选择在强大导通角的65％以上工作，及控制电压应在5V以上。我们愿与您共同努力，共担风雨，合作共赢。

可控硅模块的出现已经历史悠久，它的出现也帮助人们解决了很多难题，凭借它的优势，使可控硅模块在电气行业中非常的受欢迎，下面正高来详细的说下可控硅模块。

可控硅模块通常被称之为功率半导体模块（semiconductormodule）。刚开始是在1970年出现在电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。

可控硅模块的优点体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装；结构重复性好，装置的机械设计可以简化，价格比分立器件低等诸多优点，因而在一诞生就受到了各大电力半导体厂家的热捧，并因此得到长足发展。 淄博正高电气有限公司以发展求壮大，就一定会赢得更好的明天。河北反并联可控硅模块组件

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过电压会对可控硅模块造成损坏，如果要想保护可控硅不受其损坏，就要了解过电压的产生原因，从而去避免防止受损，下面正高电气就来讲讲过电压会对可控硅模块造成怎样的损坏？以及过电压产生的原因。

可控硅模块对过电压非常敏感，当正向电压超过udrm值时，可控硅会误导并导致电路故障；当施加的反向电压超过urrm值时，可控硅模块会立即损坏。因此，需要研究过电压产生的原因和过电压的方法。

过电压主要是由于供电电源或系统储能的急剧变化，使系统转换太晚，或是系统中原本积聚的电磁能量消散太晚。主要研究发现，由于外界冲击引起的过电压主要有两种类型，如雷击和开关开启和关闭引起的冲击电压。雷击或高压断路器动作产生的过电压是几微秒到几毫秒的电压尖峰，对可控硅模块非常危险。

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