浙江微流控半导体器件加工

MEMS加工技术：传统机械加工方法指利用大机器制造小机器,再利用小机器制造微机器。可以用于加工一些在特殊场合应用的微机械装置,例如微型机械手、微型工作台等。特种微细加工技术是通过加工能量的直接作用，实现小至逐个分子或原子的切削加工。特种加工是利用电能、热能、光能、声能及化学能等能量形式。常用的加工方法有：电火花加工、超声波加工、电子束加工、激光加工、离子束加工和电解加工等。超精密机械加工和特种微细加工技术的加工精度已达微米、亚微米级，可以批量制作模数只为0.02左右的齿轮等微机械元件，以及其它加工方法无法制造的复杂微结构器件。刻蚀技术不只是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，而且还应用于薄膜电路和其他微细图形的加工。浙江微流控半导体器件加工

微纳加工技术是先进制造的重要组成部分，是衡量国家高级制造业水平的标志之一，具有多学科交叉性和制造要素极端性的特点，在推动科技进步、促进产业发展、拉动科技进步、保障**安全等方面都发挥着关键作用。微纳加工技术的基本手段包括微纳加工方法与材料科学方法两种。很显然，微纳加工技术与微电子工艺技术有密切关系。微纳加工大致可以分为“自上而下”和“自下而上”两类。“自上而下”是从宏观对象出发，以光刻工艺为基础，对材料或原料进行加工，较小结果尺寸和精度通常由光刻或刻蚀环节的分辨力决定。“自下而上”技术则是从微观世界出发，通过控制原子、分子和其他纳米对象的相互作用力将各种单元构建在一起，形成微纳结构与器件。浙江微流控半导体器件加工晶片的制造和测试被称为前道工序，而芯片的封装、测试和成品入库则是所谓的后道工序。

在MEMS制程中，刻蚀就是用化学的、物理的或同时使用化学和物理的方法，在光刻的基础上有选择地进行图形的转移。刻蚀技术主要分为干法刻蚀与湿法刻蚀。干法刻蚀主要利用反应气体与等离子体进行刻蚀；以FATRIUTC为例，在MEMS制造中的ICP刻蚀机主要用来刻蚀Si、Si3N4、SiO2等。湿法刻蚀主要利用化学试剂与被刻蚀材料发生化学反应进行刻蚀；以FATRIUTC的MEMS制程为例，在湿法槽进行湿法刻蚀的对象有SiO2、Si3N4、金属、光刻胶等，晶圆作业中的清洗步骤也需在湿法槽中进行。

半导体行业技术高、进步快，一代产品需要一代工艺，而一代工艺需要一代设备。半导体工艺设备为半导体大规模制造提供制造基础。很多半导体器件，如光碟机(CD、VCD和DVD)和光纤通信中用的半导体激光器，雷达或卫星通信设备中的微波集成电路，甚至许多普通的微电子集成电路，都有相当部分的制作工序是在真空容器中进行的。真空程度越高，制作出来的半导体器件的性能也就越好。现在，很多高性能的半导体器件都是在超高真空环境中制作出来的。广东省科学院半导体研究所。晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1片或多片晶圆。

晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主。晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时，特征尺寸的减小，使得晶圆加工时，空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大，而随着洁净的提高，颗粒数也出现了新的数据特点。选用整流二极管时，主要应考虑其较大整流电流、较大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。浙江微流控半导体器件加工

传统的IC器件是硅圆片在前工序加工完毕后，送到封装厂进行减薄、划片、引线键合等封装工序。浙江微流控半导体器件加工

晶圆的制作工艺流程：硅提纯：将沙石原料放入一个温度约为2000℃，并且有碳源存在的电弧熔炉中，在高温下，碳和沙石中的二氧化硅进行化学反应(碳与氧结合，剩下硅)，得到纯度约为98%的纯硅，又称作冶金级硅，这对微电子器件来说不够纯，因为半导体材料的电学特性对杂质的浓度非常敏感，因此对冶金级硅进行进一步提纯：将粉碎的冶金级硅与气态的氯化氢进行氯化反应，生成液态的硅烷，然后通过蒸馏和化学还原工艺，得到了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.99%，成为电子级硅。浙江微流控半导体器件加工

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