为了消除硅基无源器件明显的偏振相关性,我们首先利用一种特殊的三明治结构波导,通过优化多层结构,成功消除了一个超小型微环谐振器中心波长的偏振相关性。针对不同的硅光芯片结构,我们提出并且实验验证了两款新型耦合器以提高硅光芯片的耦合效率。一款基于非均匀光栅的垂直耦合器,在实验中,我们得到了超过60%的光纤-波导耦合效率。此外,我们还开发了一款用以实现硅条形波导和狭缝波导之间高效耦合的新型耦合器应用的系统主要是硅光芯片耦合测试系统,理论设计和实验结果都证明该耦合器可以实现两种波导之间的无损光耦合测试。硅光芯片耦合测试系统硅光芯片的好处:片内具有快速RAM,通常可通过单独的数据总线在两块中同时访问。湖南震动硅光芯片耦合测试系统价格

硅光芯片耦合测试系统系统,该设备主要由极低/变温控制子系统、背景强磁场子系统、强电流加载控制子系统、机械力学加载控制子系统、非接触多场环境下的宏/微观变形测量子系统五个子系统组成。其中极低/变温控制子系统采用GM制冷机进行低温冷却,实现无液氦制冷,并通过传导冷方式对杜瓦内的试样机磁体进行降温。系统产品优势:1、可视化杜瓦,可实现室温~4.2K变温环境下光学测试根据测试。2、背景强磁场子系统能够提供高达3T的背景强磁场。3、强电流加载控制子系统采用大功率超导电源对测试样品进行电流加载,较大可实现1000A的测试电流。4、该测量系统不与极低温试样及超导磁体接触,不受强磁场、大电流及极低温的影响和干扰,能够高精度的测量待测试样的三维或二维的全场测量。湖南震动硅光芯片耦合测试系统价格硅光芯片耦合测试系统硅光芯片的好处:快速的中断处理和硬件I/O支持。

硅光芯片耦合测试系统耦合掉电,是在耦合的过程中断电致使设备连接不上的情况,如果电池电量不足或者使用程控电源时供电电压过低、5V触发电压未接触好、测试连接线不良等都会导致耦合掉电的现象。与此相似的耦合充电也是常见的故障之一,在硅光芯片耦合测试系统过程中,点击HQ_CFS的“开始”按钮进行测试时一定要等到“请稍后”出现后才能插上USB进行硅光芯片耦合测试系统,否则就会出现耦合充电,若测试失败,可重新插拔电池再次进行测试,排除以上操作手法没有问题后,还是出现充电现象,则是耦合驱动的问题了,若识别不到端口则是测试用的数据线损坏的缘故。
实验中我们经常使用硅光芯片耦合测试系统获得了超过50%的耦合效率测试以及低于-20dB的偏振串扰。我们还对一个基于硅条形波导的超小型偏振旋转器进行了理论分析,该器件能够实现100%的偏转转化效率,并拥有较大的制造容差。在这里,我们还对利用侧向外延生长硅光芯片耦合测试系统技术实现Ⅲ-Ⅴ材料与硅材料混集成的可行性进行了初步分析,并优化了诸如氢化物气相外延,化学物理抛光等关键工艺。在该方案中,二氧化硅掩膜被用来阻止InP种子层中的线位错在外延生长中的传播。初步实验结果和理论分析证明该集成平台对于实现InP和硅材料的混合集成具有比较大的吸引力。硅光芯片耦合测试系统硅光芯片的好处:程序和数据空间分开,可以同时访问指令和数据。

硅光芯片耦合测试系统中应用到的硅光芯片是将硅光材料和器件通过特殊工艺制造的集成电路,主要由光源、调制器、探测器、无源波导器件等组成,将多种光器件集成在同一硅基衬底上。硅光芯片的具有集成度高、成本低、传输带宽更高等特点,因为硅光芯片以硅作为集成芯片的衬底,所以能集成更多的光器件;在光模块里面,光芯片的成本非常高,但随着大规模生产的实现,硅光芯片的低成本成了巨大优势;硅光芯片的传输性能好,因为硅光材料折射率差更大,可以实现高密度的波导和同等面积下更高的传输带宽。硅光芯片耦合测试系统优点:反应速度快。湖南震动硅光芯片耦合测试系统价格
硅光芯片主要由光源、调制器、有源芯片等组成,通常将光器件集成在同一硅基衬底上。湖南震动硅光芯片耦合测试系统价格
提到硅光芯片耦合测试系统,我们来认识一下硅光子集。硅光子集成的工艺开发路线和目标比较明确,困难之处在于如何做到与CMOS工艺的较大限度的兼容,从而充分利用先进的半导体设备和工艺,同时需要关注个别工艺的特殊控制。硅光子芯片的设计目前还未形成有效的系统性的方法,设计流程没有固化,辅助设计工具不完善,但基于PDK标准器件库的设计方法正在逐步形成。如何进行多层次光电联合仿真,如何与集成电路设计一样基于可重复IP进行复杂芯片的快速设计等问题是硅光子芯片从小规模设计走向大规模集成应用的关键。湖南震动硅光芯片耦合测试系统价格