为降低半导体加热盘的热量损耗 ,国瑞热控研发**隔热组件 ,通过多层复合结构设计实现高效保温。组件内层采用耐高温隔热棉 ,热导率*0.03W/(m・K) ,可有效阻隔加热盘向设备腔体的热量传递;外层选...
面向柔性半导体基板(如聚酰亚胺基板)加工需求,国瑞热控**加热盘以柔性贴合设计适配弯曲基板!采用薄型不锈钢加热片(厚度0.2mm)与硅胶导热层复合结构,可随柔性基板弯曲(弯曲半径**小5mm)而无结构...
面向柔性半导体基板(如聚酰亚胺基板)加工需求,国瑞热控**加热盘以柔性贴合设计适配弯曲基板!采用薄型不锈钢加热片(厚度0.2mm)与硅胶导热层复合结构,可随柔性基板弯曲(弯曲半径**小5mm)而无结构...
针对晶圆清洗后的烘干环节,国瑞热控**加热盘以洁净高效的特性适配严苛需求!产品采用高纯不锈钢基材,表面经电解抛光与钝化处理,粗糙度Ra小于0.2μm,减少水分子附着与杂质残留!加热面采用蜂窝状导热结构...
精密制造领域对温控稳定性的严苛要求,推动国瑞热控 PTC 加热板持续技术升级。产品创新采用双组加热线缆设计,通过分区温区控制,将温度均匀性提升至 ±0.8℃以内,完美适配半导体芯片测试、实验室反应釜等...
国瑞热控针对硒化铟等二维半导体材料制备需求,开发**加热盘适配 “固 - 液 - 固” 相变生长工艺。采用高纯不锈钢基体加工密封腔体,内置铟原子蒸发温控模块,可精细控制铟蒸汽分压,确保硒与铟原子比稳定...
借鉴晶圆键合工艺的技术需求,国瑞热控键合**加热盘创新采用真空吸附与弹簧压块复合结构,通过弹簧压力限制加热平台受热膨胀,高温下表面平整度误差控制在 0.02mm 以内。加热盘主体采用因瓦合金与氮化铝复...
面向先进封装 Chiplet 技术需求,国瑞热控**加热盘以高精度温控支撑芯片互联工艺。采用铝合金与陶瓷复合基材,加热面平面度误差小于 0.02mm,确保多芯片堆叠时受热均匀。内部采用微米级加热丝布线...
国瑞热控金属加热盘突破海外技术壁垒,实现复杂结构产品量产能力。采用不锈钢精密加工一体化成型,通过五轴联动机床制造螺纹斜孔等复杂结构,加热面粗糙度 Ra 小于 0.1μm。内置螺旋状不锈钢加热元件,经真...
国瑞热控刻蚀工艺加热盘,专为半导体刻蚀环节的精细温控设计,有效解决刻蚀速率不均与图形失真问题。产品采用蓝宝石覆层与铝合金基体复合结构,表面经抛光处理至镜面效果,减少刻蚀副产物粘附,且耐受等离子体轰击无...
国瑞热控 12 英寸半导体加热盘专为先进制程量产需求设计,采用氮化铝陶瓷与高纯铜复合基材,通过多道精密研磨工艺,使加热面平面度误差控制在 0.015mm 以内,完美贴合大尺寸晶圆的均匀受热需求。内部采...
针对半导体晶圆研磨后的应力释放需求,国瑞热控**加热盘以温和温控助力晶圆性能稳定。采用铝合金基体与柔性导热垫层复合结构,导热垫层硬度 Shore A 30,可贴合研磨后晶圆表面微小凹凸,确保热量均匀传...
面向先进封装 Chiplet 技术需求,国瑞热控**加热盘以高精度温控支撑芯片互联工艺。采用铝合金与陶瓷复合基材,加热面平面度误差小于 0.02mm,确保多芯片堆叠时受热均匀。内部采用微米级加热丝布线...
国瑞热控快速退火**加热盘以高频响应特性适配 RTP 工艺需求,采用红外辐射与电阻加热复合技术,升温速率突破 50℃/ 秒,可在数秒内将晶圆加热至 1000℃以上。加热盘选用低热惯性的氮化铝陶瓷材质,...
针对半导体载板制造中的温控需求,国瑞热控**加热盘以高稳定性适配载板钻孔、电镀等工艺。采用不锈钢基材经硬化处理,表面硬度达 HRC50 以上,耐受载板加工过程中的机械冲击无变形。加热元件采用蛇形分布设...
面向深紫外光刻工艺对晶圆预处理的需求,国瑞热控配套加热盘以微米级温控助力图形精度提升。采用铝合金基体与石英玻璃复合结构,加热面平面度误差小于 0.01mm,确保晶圆与光刻掩膜紧密贴合。通过红外加热与接...