二极管是否损坏如何判断:单负导电性能的检测及好坏的判断,通常,锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右,反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5kΩ左右,反向电阻值为(无穷大)。正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊,说明二极管的单向导电特性越好。若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小,则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大,则说明该二极管已开路损坏。二极管的工作状态受温度影响,应注意散热问题,确保其稳定性。中山激光二极管批发价格
1873年,弗雷德里克·格思里( Frederick Guthrie )发现了热离子二极管的基本操作原理 [6] 。他发现了当白热化的接地金属接近带正电的验电器时,验电器的电会被引走;然而带负电的验电器则不会发生类似情况。这表明了电流只能向一个方向流动。1880年2月13日,托马斯·爱迪生也发现了这一规律。当时,爱迪生正在研究为什么他的碳丝灯泡的灯丝几乎总是在正极端烧断。他有一个密封了金属板的特殊玻璃外壳灯泡。利用这个装置,他证实,发光的灯丝会有一种无形的电流穿过真空与金属板连接,但只有当板被连接到正电源时才会发生。爱迪生随即发明了一种电路,他的特殊灯泡有效地取代了直流电压表中的电阻。中山激光二极管批发价格二极管是一种具有非对称导电性质的半导体器件。
二极管是电路中经常用的一种电子元器件看,它的英文名称是Diode,又称晶体二极管,是用P型和N型半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子元器件。它具有单向导电性能,即给二极管阳极加上正向电压时,二极管导通。当给阳极和阴极加上反向电压时,二极管截止。因此,二极管的导通和截止,则相当于开关的接通与断开。二极管引脚是有正负极性区分的,A(Anode)表示正极,K(Cathode,C的发音为[K])表示负极,在负极的方向会有丝印标记,称为阴极线。
二极管的伏安特性,外加电压P->N,大于势垒电压,二极管导通;外加电压N->P,大于反向击穿电压,二极管击穿。二极管的相关应用:1整流,整流,就是把交流电变为直流电的过程。利用具有单向导电特性的器件,可以把方向和大小交变的电流变换为直流电。(1)半波整流电路;(2)全波整流电路。需要特别指出的是,二极管作为整流元件,要根据不同的整流方式和负载大小加以选择。如选择不当,则或者不能安全工作,甚至烧了管子;或者大材小用,造成浪费。二极管有正向导通和反向截止的特性,用于整流、限流、保护和变频等电路中。
反向偏置(Reverse Bias),在阳极侧施加相对阴极负的电压,就是反向偏置,所加电压为反向偏置。这种情况下,因为N型区域被注入空穴,P型区域被注入电子,两个区域内的主要载流子都变为不足,因此结合部位的耗尽层变得更宽,内部的静电场也更强,扩散电位也跟着变大。这个扩散电位与外部施加的电压互相抵销,让反向的电流更难以通过。更多的细节请参阅“PN结”条目。实际的元件虽然处于反向偏置状态,也会有微小的反向电流(漏电流、漂移电流)通过。当反向偏置持续增加时,还会发生 隧道击穿 或 雪崩击穿 或 崩溃 ,发生急遽的电流增加。开始产生这种击穿现象的(反向)电压被称为 击穿电压 。超过击穿电压以后反向电流急遽增加的区域被称为 击穿区 ( 崩溃区 )。在击穿区内,电流在较大的范围内变化而二极管反向压降变化较小。稳压二极管就利用这个区域的动作特性而制成,可以作为电压源使用。在数字电路中,二极管可用作逻辑门电路的组成部分,实现逻辑运算。中山激光二极管批发价格
二极管于PN结的半导体材构成,通过控制电场分布实现流的单向导通。中山激光二极管批发价格
晶体二极管分类如下:平面型二极管,在半导体单晶片(主要地是N型硅单晶片)上,扩散P型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅单晶片上只选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此,不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整,故而得名。并且,PN结合的表面,因被氧化膜覆盖,所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。较初,对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的,故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言,似乎使用于大电流整流用的型号很少,而作小电流开关用的型号则很多。中山激光二极管批发价格