耦合举个例子来讲，晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻，它同时又使信号产生压降反馈到输入端形成了输入输出信号耦合，这个电阻就是产生了耦合的元件，如果在这个电阻两端并联一个电容，由于适当容量的电容器对交流信号较小的阻抗，这样就减小了电阻产生的耦合效应，故称此电容为去耦电容。3、时间常数这就是常见的R、C串联构成的积分电路。当输入信号电压加在输入端时，电容（C）上的电压逐渐上升。而其充电电流则随着电压的上升而减小。电流通过电阻（R）、电容（C）的特性通过下面的公式描述：i=(V/R)e-(t/CR)更换时事先必须根据备用电容器的记录资料，核对其电容值合绝缘电阻是否合格，并检查有无渗、漏油现象。深圳质量瓷片电容上门服务
节约储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150000μF之间的铝电解电容器（如EPCOS公司的B43504或B43505）是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式，对于功率级超过10KW的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。4、储能储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150000μF之间的铝电解电容器（如EPCOS公司的B43504或B43505）是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式，对于功率级超过10KW的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。深圳质量瓷片电容上门服务以金属钽或铌为正极，稀硫酸等溶液为负极，以钽或铌表面形成的氧化膜为电介质。
滤波从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1μF的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频。电容的作用就是通高阻低，通高频阻低频。电容越大低频越容易通过，电容越小高频越容易通过。具体用在滤波中,大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。
高介电常数类X7R电介质由于X7R是一种强电介质，因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定，随温度、电压时间的改变，其特有的性能变化并不大，属稳定电容材料类型，使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。
半导体类Y5V电介质这种电容器具有较高的介电常数，常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R差，容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感，主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及旁路电路中。特点：温度特性好，频率特性好。一般电容随着频率的上升,电容量呈现下降的规律，独石电容下降比较少，容量比较稳定。 容量小的瓷片电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示；
瓷片电容应用在电源电路的主要作用是实现旁路、去藕、滤波和储能电容器，简称电容，用字母C表示，国际单位是法拉，简称法，用F表示，在实际应用中，电容器的电容量往往比1法拉小得多，常用较小的单位，如微法(μF)、皮法(pF)等。电容一般可以分为有极性电容和无极性电容。瓷片电容一般是无极性电容，容量值一般小于1μF，比如常用的瓷片电容0.1UF（104）。瓷片电容应用于电源电路的主要作用是实现旁路、去藕、滤波和储能电容器，简称电容，用字母C表示，国际单位是法拉，简称法，用F表示，在实际应用中，电容器的电容量往往比1法拉小得多，常用较小的单位，如微法(μF)、皮法(pF)等。电容一般可以分为有极性电容和无极性电容。瓷片电容一般是无极性电容，容量值一般＜1μF，比如常用的瓷片电容0.1UF（104）。瓷片电容容量小，只有0.1uF;深圳质量瓷片电容上门服务
按照介质不同可分为I类瓷介电容和II类瓷介电容。深圳质量瓷片电容上门服务
在很多的电子产品中，用到高压瓷片电容是很多的。什么是高压瓷片电容，有什么功能呢？高压瓷片电容就是以陶瓷材料为介质的圆片形电容器。外壳是陶瓷的，用来绝缘。高压瓷片电容器一个主要的特点就是耐压高，电压一般大于1KV的电压。高压瓷片电容器常规有2KV、3KV、4KV电压。常用于高压场合。比较高的可达30KV的电压。高压瓷片电容作用具有耐磨直流高压的特点，适用于高压旁路和耦合电路中，其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗，特别适合在电视接收机和扫描等电路中使用。深圳质量瓷片电容上门服务
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