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DS5035B单串+无线充方案：单串22.5+无线充。DS5035B是点思针对单节移动电源磁吸无线充市场推出的一颗移动电源SOC。DS5035B单串+无线充方案：单串电池，22.5W功率，支持CA+W输出方式，单击按键开机并显示电量，双击按键关机进入休眠，长按键进入小电流模式。支持CC-CV切换，支持PD3.1/PD3.0/QC4.0/QC3.0/AFC/SCP/BC1.2/DCP等主流快充协议，集成电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块，并提供输入/输出的过压/欠压，电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能。当涓流充电使得电池电压＞涓流截止电压时，进入恒流充电。XB5307A

保护芯片正常工作：保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态，磷酸铁锂电池接上保护芯片后，必须先触发MOS管，P+与P-端才有输出电压，触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。 3、保护芯片过充保护：在P+与P-上接上一高于电池电压的电源，电源的正极接B+、电源的负极接B-，接好电源后，电池开始充电，电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发，流经电池、D1、MOS2到电源负极，IC通过电容来取样电池电压的值，当电池电压达到4.25v时，IC发出指令，使引脚CO为低电平，这时电流从电源正极出发，流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平，MOS2关断，整个回路被关断，电路起到保护作用。 4、保护芯片过放保护：在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，（这时MOS2被D2短路）；当电池放电到2.5v时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。XB5307A耐高压内置MOS锂电保护小封装、低功耗。

DS5036B集成的KEY管脚内置上拉电阻，用于检测按键的输入，支持按键单击、双击和长按键功能。小于30ms的按键动作不会有任何响应，无效操作。按键持续时间长于100ms，但小于2s，即为短按动作。短按键会打开电量显示灯或数码管显示电量和升压输出。按键持续时间长于3s，即为长按动作。长按会开启或者关闭小电流输出模式。在1s内连续两次短按键，会关闭升压输出、电量显示，进入休眠模式。DS5036B 自动检测手机插入，手机插入后即刻从待机状态唤醒，开启升压给手机充电，省去按键操作， 可支持无按键模具方案。

DS5036B集成涓流、恒流、恒压锂电池充电管理系统，当电池电压小于VTRKL时，采用涓流电流充电；当电池电压大于VTRKL时，进入输入恒流充电；当电池电压接近设定的电池电压时，进入恒压充电；当电池端充电电流小于停充电流ISTOP且电池电压接近恒压电压时，停止充电。充电完成后，若电池电压低于(VTRGT–0.1)V，重新开启电池充电。DS5036B采用开关充电技术，充电效率高达到96%，能缩短3/4的充电时间。DS5036B支持边充边放功能，在边充边放时，输入输出均为5V。带电池正负极反接保护的充电管理。

普通的锂电池供电电子产品(如锂电池供电的超声波电动牙刷)都需要外置充电管理电路+电机正反转驱动电路+控制芯片三个分立的控制电路芯片组合。普通的分立充电管理电路不能耐高压，不能支持无线充电，只能支持usb充电。普通的分立马达正反驱动电路没有过流保护功能，常规方案有三种方式： 3.1》采用外置充电管理电路+电机正反转驱动电路+单片机控制芯片三个分立芯片组合的控制电路方案。 4.2》采用分立的器件搭建的无线充充电路+四个mos组成的电机正反转电路+单片机控制芯片 5.3》采用定制asic(集成电路)，模式功能固定，不可更改。点思半导体秉承着为客户提供好产品的理念，立志成为国内突出的数模混合芯片设计公司。XB5307A

单节至四节镍氢电池进行充电管理。该器件内部包括功率晶体管，不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。XB5307A

低压差线性稳压器原理上与一般的线性直流稳压器基本相同，区别在于低压差稳压器输出端的功率由NPN晶体管共集极架构改为PNP集电极开路架构(以使用双极性晶体管以言)。这种架构下，功率晶体管的控制极只要利用对地的电压差就能让晶体管处于饱和导通状态，因此输入端只需高出输出端多于功率晶体管的饱和电压，稳压器就能运作，稳定输出电压。 这类设计在保持稳定性方设计难度较高，因为输出级的阻抗较大，较易不稳定或起振。 低压差稳压器所使用的功率晶体管可以是双极性晶体管或场效晶体管。 双极性晶体管因为基极电流的关系，会耗用额外的电流，增加功耗，在相对高输出电压、低输出电流、低输出输入电压差的情况下尤其明显。 场效晶体管没有双极性晶体管的功耗问题，但其所需导通的闸极电压限制了其在低输出电低的应用，而且场效晶体管管的成本较高。随着半导体技术的进步，这两方面的问题都得以改善。XB5307A