泰州温度补偿型电容

I类陶瓷电容器按照美国电工协会(EIA)的标准，是C0G(数字0，不是字母O，部分文件笔误COG)或NP0(数字0，不是字母O，部分文件笔误NPO)，以及中国标准CC系列等各类陶瓷介质(温度系数为030ppm/)，极其稳定，温度系数极低，不会出现老化现象和损耗因子。这种介质非常适用于高频(特别是用于工业高频感应加热、高频无线传输等应用的高频电力电容器)、超高频以及对电容和稳定性有严格要求的定时和振荡电路的工作环境。这种介质电容的缺点就是电容不能做得很大(因为介电系数比较小)。通常情况下，1206表贴C0G介质电容的电容范围为0.5pf至0.01f。液态电解电容采用的介电材料为电解液，而固态电容采用的是导电性高分子。泰州温度补偿型电容

由于固态电解电容采用导电聚合物作为电极层导体，相对与液态电解液它的导电性能更好，所以对应的ESR（EquivalentSeriesResistance,串联等效电阻）非常小，则对应的电容损耗也小。通常情况下，这个特点并不突出，但在一些大功率高频电路中，对于电源滤波电容则要求ESR越小越好。可以说，高频下，固态电解电容的低ESR是其较大的优点。在一届大学生智能汽车竞赛中有一组节能信标组，它可以为车模提供超过50W的充电功率。下图显示了信标控制电路板上的两个电解电容。在左边的电路中使用的是普通液态电解电容，在电路满功率输出50W电能时，这两个电容发热严重。将它们替换成相同容量的固态电容之后，电容就不再发烫。泰州温度补偿型电容钽电容应用：通讯、航天、工业控制、影视设备、通讯仪表 。

电容性能不同性能是使用的要求，需求比较大化是使用的要求。如果电视机电源部分采用金属氧化物薄膜电容进行滤波，应满足滤波所需的电容容量和耐压。柜子里恐怕只有一个电源。所以只能用极性电容来滤波，极性电容是不可逆的。也就是说，正极必须连接到高电位端子，负极必须连接到低电位端子。一般电解电容在1微法以上，用于耦合、去耦、电源滤波等。非极性电容大多在1微法以下，参与谐振、耦合、选频、限流等。当然也有容量大，耐压高的，多用于电力无功补偿，电机移相，变频电源移相。非极性电容有很多种，不赘述。

MLCC是陶瓷电容器的一种，也可称为片式电容器、多层电容器、多层电容器等。MLCC是由印刷电极(内电极)交错堆叠的陶瓷介质膜，经一次高温烧结形成陶瓷电子元件，再在电子元件两端封上金属层(外电极)，形成单片结构，故也可称为单片电容器。简单平行板电容器的基本结构是由一个绝缘的中间介质层加上两个外部导电的金属电极组成，而MLCC的结构主要包括三部分：陶瓷介质、金属内电极和金属外电极。在结构上，MLCC是一个多层层压结构。简单来说就是几个简单平行板电容的平行体。铝电解电容器由于在负荷工作过程中电解液不断修补并增厚阳极氧化膜（称为补形效应），会导致电容量的下降。

片式多层陶瓷电容器，独石电容，片式电容，贴片电容)MLCC的优点：1、由于使用多层介质叠加的结构，高频时电感非常低，具有非常低的等效串联电阻，因此可以使用在高频和甚高频电路滤波无对手；2、无极性，可以使用在存在非常高的纹波电路或交流电路；3、使用在低阻抗电路不需要大幅度降额；4、击穿时不燃烧，安全性高。所有都用陶瓷为介质的电容器都叫陶瓷电容，绝大部分的人都是根据贴片、插件来称呼，但是这个称呼不是很统一，还有很多人是根据形状来称呼，如片状陶瓷电容、圆形陶瓷电容、管形陶瓷电容等。对于半导体设备而言，贴片陶瓷电容非常重要，否则，那些采用较新微细加工技术制造的微处理器、DSP、微机、FPGA等半导体器件，将会失去正常工作，所以我们在选择贴片陶瓷电容的时候要慎重，陶瓷电容器品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）。泰州温度补偿型电容

陶瓷电容器从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器。泰州温度补偿型电容

钽电容器：优点：体积小，电容大，形状多样，寿命长，可靠性高，工作温度范围宽。缺点：容量小，价格高，耐电压电流能力弱。应用：通信，航空航天，工业控制，影视设备，通信仪表1.它也是一种电解电容器。钽被用作介质，不像普通的电解电容使用电解质。钽电容不需要像普通电解电容那样用镀铝膜的电容纸绕制，几乎没有电感，但这也限制了它的容量。3354我们在大容量，但是需要低ESL，所以选择钽电容器。2.由于钽电容器中没有电解液，所以非常适合在高温下工作。3354需要一些温度范围比较宽的场景。3.钽电容器的工作介质是在金属钽表面形成的一层非常薄的五氧化二钽薄膜。这层氧化膜。电介质与电容器的一端集成在一起，不能单独存在。所以单位体积的工作电场强度非常高，电容特别大，也就是比容量非常高，所以特别适合小型化。3354集成度比较高的场景，铝电解电容占用面积比较大，陶瓷电容容量不足。泰州温度补偿型电容