开关元件q1～q4的构成分别包括mosfet(metaloxidesemiconductor-fieldeffecttransistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)、igbt(insulatedgatebipolartransistor：绝缘栅双极型晶体管)等。图示例的开关元件q1～q4使用n沟道的mosfet。各开关元件q1～q4的栅极端子与驱动电路12连接。开关元件q1～q4基于来自驱动电路12的脉冲信号t1～t4进行驱动。变压器7a对已由全桥电路转换后的交流电压进行变压，并输出到整流电路8。变压器7a具有彼此绝缘的一次绕组l1和二次绕组l2。变压器7a根据一次绕组l1和二次绕组l2的绕组比ns/np来变更变压量。一次绕组l1的一端连接在开关元件q1和开关元件q2之间，另一端连接在开关元件q3和开关元件q4之间。如图1所示，二次绕组l2中形成将二次绕组l2的绕组数大致均等地一分为二的分支点ct。另外，分支点ct也可以不在将二次绕组l2的绕组数均等地一分为二的位置形成，而是以绕组数不同的方式形成分支点ct。二次绕组l2与整流电路8连接。整流电路8是将已由开关电路7转换后的交流电压转换为直流电压的电路。整流电路8的构成包括两个开关元件q5、q6(第二开关元件)。开关元件q5、q6的构成例如包括mosfet、igbt等。大功率裸板电源_300W裸板电源。上海大规模裸板电源
电路中由于负载位于变压器的次级且工作在反激状态，具有输人和输出相互隔离的优点。这种电路不适用于大功率电源，亦适用于小功率电源。５．推挽式开关电源推挽式开关电源的典型电路如图六所示。它属于双端式变换电路，高频变压器的磁芯工作在磁滞回线的两侧。电路使用两个开关管VT1和VT2，两个开关管在外激励方波信号的控制下交替的导通与截止，在变压器Ｔ次级统组得到方波电压，经整流滤波变为所需要的直流电压。这种电路的优点是两个开关管容易驱动，主要缺点是开关管的耐压要达到两倍电路峰值电压。电路的输出功率较大，一般在100-500Ｗ范围内。６．降压式开关电源降压式开关电源的典型电路如图七所示。当开关管VT1导通时，二极管VD1截止，输人的整流电压经VT1和L向Ｃ充电，这一电流使电感Ｌ中的储能增加。当开关管VT1截止时，电感Ｌ感应出左负右正的电压，经负载RL和续流二极管VD1释放电感Ｌ中存储的能量，维持输出直流电压不变。电路输出直流电压的高低由加在VT1基极上的脉冲宽度确定。这种电路使用元件少，它同下面介绍的另外两种电路一样，只需要利用电感、电容和二极管即可实现。７．升压式开关电源升压式开关电源的稳压电路如图八所示。当开关管VT1导通时。上海大规模裸板电源当裸板电源输出电压过低时该怎么解决呢?
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开关元件q5连接在变压器7a的二次绕组l2的一端与负载侧输出端子3b之间。开关元件q6连接在变压器7a的二次绕组l2的另一端与负载侧输出端子3b之间。开关元件q5、q6的栅极端子与驱动电路12连接，且基于来自驱动电路12的脉冲信号t5、t6进行驱动。开关元件q5、q6在同步整流控制时与开关电路7同步地驱动，在非同步整流控制时与开关电路7单独地驱动。开关元件q5、q6对已利用开关电路7转换后的交流电压进行整流，并转换为直流电压。平滑电路9使整流电路8整流后的直流电压平滑化，并向负载3输出。平滑电路9的构成包括扼流线圈9a和电容器9b。扼流线圈9a串联连接在二次绕组的分支点ct与负载侧输入端子3a之间。电容器9b连接在负载侧输入端子3a与负载侧输出端子3b之间，且与扼流线圈9a并联连接。控制部10进行同步整流控制、中断控制、非同步整流控制的切换，并且对各开关元件q1～q6进行反馈控制。在同步整流控制中，整流电路8的开关元件q5、q6与开关电路7同步地驱动。在中断控制中，在从同步整流控制切换为非同步整流控制时，从基于通常占空比d的反馈控制替换(置换)成切换用占空比d′而控制开关电路7的驱动。在非同步整流控制时。裸板电源模型图图纸简介。上海大规模裸板电源
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